전공정(FAB)
MBCFET (Multi-Bridge Channel FET)
삼성전자가 세계 최초로 적용한 GAA(Gate-All-Around) 아키텍처의 한 형태입니다. 기존 나노와이어 형태보다 접촉면이 넓은 나노시트(Nanosheet) 구조를 채용하여 전류 구동 능력을 극대화했습니다. 채널의 폭을 설계 단계에서 유연하게 조절할 수 있어 저전력 고성능을 동시에 구현해야 하는 고성능 컴퓨팅(HPC) 칩의 3nm 이하 공정에서 유리합니다.
최종 업데이트: 2026.04.05