전공정(FAB)
MBCFET (Multi-Bridge Channel Field-Effect Transistor)
MBCFET는 기존의 GAA (Gate-All-Around) 구조를 더욱 발전시킨 형태로, 채널을 여러 개의 나노시트(nanosheet)로 분리하여 게이트가 채널을 더 효과적으로 제어하도록 설계되었습니다. 이는 기존 GAA FET보다 전류 구동 능력과 온/오프 비율을 향상시켜, 더 높은 성능과 저전력 구현을 가능하게 합니다. 이러한 구조적 특징은 3D 집적도를 극대화하는 데 중요한 역할을 하며, 차세대 고성능 로직 반도체 구현의 핵심 기술로 주목받고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.09