Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET) (멀티 브릿지 채널 FET)

삼성전자에서 개발한 GAA(Gate-All-Around) 구조의 고유 명칭으로, 채널을 여러 개의 독립적인 나노시트 형태로 구성하여 브릿지처럼 연결하는 구조를 의미합니다. 이 구조는 나노시트의 폭을 독립적으로 조절할 수 있어 트랜지스터의 성능 및 전력 효율을 최적화할 수 있는 유연성을 제공합니다. 기존 핀펫(FinFET) 대비 게이트 제어력이 향상되어 미세 공정에서 발생하는 누설 전류를 효과적으로 줄일 수 있으며, 3nm 이하 공정에서 삼성전자의 핵심 기술로 활용되고 있습니다. 차세대 저전력 고성능 반도체 구현을 위한 핵심적인 기술입니다.