전공정(FAB)
Native GaN Substrate (동종 질화갈륨 기판)
질화갈륨(GaN) 소자 제작 시 이종 물질(예: 사파이어, 실리콘) 대신 GaN 자체로 이루어진 기판을 의미합니다. 동종 기판은 격자 불일치와 열팽창 계수 불일치로 인한 결함 생성을 최소화하여 소자의 신뢰성과 성능을 비약적으로 향상시킵니다. 고품질 GaN 에피택시 성장을 가능하게 하며, 고전압 및 고전류 GaN 전력 반도체 구현의 핵심 요소입니다.
최종 업데이트: 2026.04.04