Negative Capacitance FET (NCFET) (부성 커패시턴스 FET)

게이트 스택 내에 강유전체(Ferroelectric) 물질을 도입하여 트랜지스터의 서브스레숄드 스윙(Subthreshold Swing, SS)을 60mV/decade 이하로 낮추는 것을 목표로 하는 차세대 트랜지스터 구조입니다. 강유전체의 부성 커패시턴스 특성을 활용하여 게이트 전압 증폭 효과를 얻음으로써, 낮은 구동 전압에서도 높은 온-오프 전류비를 달성할 수 있습니다. 이는 트랜지스터의 전력 소모를 획기적으로 줄일 수 있는 잠재력을 가지며, 특히 저전력 IoT 및 모바일 기기에 적용될 수 있는 초저전력 소자로 주목받고 있습니다. 강유전체 물질의 안정성과 신뢰성 확보가 주요 과제입니다.