Next-Generation EUV Lithography: High-NA EUV

High-NA EUV (High Numerical Aperture Extreme Ultraviolet Lithography)는 기존 EUV 리소그래피의 개구율(NA)을 0.33에서 0.55 이상으로 높여 더욱 미세하고 정교한 패턴을 구현할 수 있는 차세대 리소그래피 기술입니다. 이는 2nm 이하의 초미세 공정에서 필수적인 기술로, 기존 EUV보다 더 높은 해상도를 제공하여 집적도와 성능 향상을 가능하게 합니다. ASML이 주도적으로 개발하고 있으며, 향후 반도체 기술의 한계를 극복하는 핵심적인 역할을 할 것으로 기대됩니다.