기초/기타

PEB

PEB (Post Exposure Bake, 노광 후 베이크)
사용자 정의: 노광 후 웨이퍼를 가열하여 감광액 내의 화학 반응을 활성화하고 안정화하는 공정.

상세 설명: 노광 공정의 물리적 단계를 화학적 단계로 연결하는 핵심 공정입니다. 최신 화학 증폭형 레지스트(CAR, Chemically Amplified Resist)에서 PEB는 결정적인 역할을 합니다.

작동 원리: 노광 단계에서 빛을 받은 영역의 노광 산 발생제(PAG)에서 산(Acid)이 생성됩니다. 이어지는 PEB 단계에서 웨이퍼에 열을 가하면, 이 산이 촉매가 되어 주변 레지스트 고분자의 화학적 구조를 변화시키는 반응(탈보호 반응 등)을 가속화합니다. 이 과정에서 산은 소모되지 않고 계속해서 다른 반응을 일으켜 하나의 광자가 수많은 반응을 유도하는 '증폭' 효과를 냅니다.

중요성: PEB 시간과 온도는 패턴의 최종 선폭(CD)과 에지 거칠기(LER/LWR)에 막대한 영향을 미칩니다. 온도가 미세하게만 변해도 산의 확산 거리가 달라져 CD 오차(EPE)가 발생하므로 극도의 균일성 관리가 필요합니다. EUV 노광 공정에서는 레지스트의 확률적 변동성을 PEB 공정으로 안정화하는 연구가 중요하게 다뤄집니다.

최종 업데이트: 2026.04.11

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