기초/기타
Perovskite FET (페로브스카이트 FET)
페로브스카이트 결정 구조를 전하 캐리어 트랜지스터의 채널 물질로 사용하는 차세대 FET 구조입니다. 이 소재는 넓은 밴드갭과 높은 전하 이동도, 그리고 비교적 낮은 제조 온도로 인해 저전력, 고효율 메모리 및 논리 소자 구현에 유리합니다. 특히 페로브스카이트의 특성은 강유전성(Ferroelectricity)과 유사하여, Non-Volatile Memory와 논리 기능을 통합한 ReRAM/FeRAM 구현의 핵심 소재로 주목받고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.16