전공정(FAB)

Photoresist (감광액)

빛에 반응하여 화학적 변화를 일으키는 고분자 물질로, 반도체 웨이퍼 위에 미세 회로 패턴을 형성하는 데 사용됩니다. 노광 후 현상액에 대한 용해도가 변화하며, 이를 통해 웨이퍼에 원하는 패턴을 전사하는 마스크 역할을 수행합니다. 감광액의 성능(해상도, 감도, 식각 저항성)은 리소그래피 공정의 미세화 한계와 수율에 직접적인 영향을 미칩니다.

최종 업데이트: 2026.04.03

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