전공정(FAB)
Plasma Etch (플라즈마 식각)
기체 상태의 반응 가스를 플라즈마 상태로 만들어 이온, 라디칼 등 활성종을 이용하여 웨이퍼 표면의 불필요한 물질을 제거하는 건식 식각 방식입니다. 플라즈마의 이온 충격은 방향성(이방성) 식각을 가능하게 하여 미세하고 수직적인 패턴 형성에 유리하며, 라디칼은 화학적 반응을 통해 물질을 제거합니다. 이는 미세 회로의 높은 종횡비(Aspect Ratio) 구조를 정밀하게 구현하는 데 필수적인 기술입니다.
최종 업데이트: 2026.04.03