기초/기타
Quantum Dot Logic Transistors (QD-FET)
QD-FET는 양자점을 활용하여 전자의 양자 구속 효과(Quantum Confinement Effect)를 이용해 제작된 차세대 트랜지스터입니다. 일반적인 FET가 캐리어의 흐름을 이용하는 것과 달리, QD는 전자가 채널 내에서 갇힌 상태로 작동하여, 근본적으로 스케일링 한계를 우회하며 초저전력 구동이 가능합니다. 이를 상용화하기 위해서는 양자점의 대량 증착, 균일한 크기 제어, 그리고 전극과의 안정적인 전기적 접합(Interface Engineering)이라는 난제들이 해결되어야 합니다.
최종 업데이트: 2026.04.16