전공정(FAB)
Reactive Ion Etching (RIE) (반응성 이온 식각)
플라즈마 환경에서 화학적 반응과 이온의 물리적 충격을 결합하여 웨이퍼를 식각하는 건식 식각 기술입니다. 이온의 방향성 충격 덕분에 수직 방향 식각 속도가 수평 방향보다 훨씬 빨라 이방성(Anisotropic) 식각이 가능합니다. RIE는 미세 패턴의 측면 프로파일을 정밀하게 제어할 수 있어 고집적 반도체 소자의 미세 회로 형성 및 높은 종횡비 구조 구현에 광범위하게 사용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03