설계(Design)
Resistive RAM (ReRAM) Array (저항성 램 어레이)
인가된 전압 또는 전류에 따라 저항 값이 변하는 비휘발성 메모리 소자인 ReRAM 셀들로 구성된 배열입니다. 특히 아날로그 인메모리 컴퓨팅에서 행렬-벡터 곱셈 연산의 가중치를 저장하고 동시에 연산을 수행하는 크로스바(Crossbar) 구조로 활용됩니다. 저전력, 고밀도, 빠른 스위칭 속도 등의 장점을 가지며, 뉴로모픽 칩이나 엣지 AI 디바이스의 핵심 메모리 기술로 부상하고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.04