전공정(FAB)
Selective Epitaxy
전통적인 에피택셜 성장 공정에서 웨이퍼 전체에 걸쳐 균일하게 박막을 성장시키는 것과 달리, 특정 영역에만 선택적으로 박막을 성장시키는 기술입니다. 이를 통해 트랜지스터의 성능을 극대화하고 누설 전류를 줄이는 데 기여하며, 특히 GAA FET 구조에서 채널 영역의 특성을 정밀하게 제어하는 데 필수적입니다. 이 기술은 불필요한 부분의 물질 증착을 방지하여 공정 효율성을 높이고 후속 공정을 용이하게 하는 장점을 가집니다.
최종 업데이트: 2026.04.12