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SEU (Single Event Upset)

고에너지 입자가 반도체 소자를 통과할 때 발생하는 일시적인 전기적 교란으로 인해 데이터 비트가 뒤집히는 현상입니다. 메모리 셀이나 레지스터의 저장 값이 일시적으로 변경되지만, 소자 자체의 영구적인 손상을 유발하지는 않습니다. TMR과 같은 중복성 설계로 이를 완화할 수 있습니다.

최종 업데이트: 2026.04.05

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