전공정(FAB)
SiC MOSFET Gate Oxide Reliability (탄화규소 MOSFET 게이트 산화막 신뢰성)
실리콘 카바이드(SiC) 기반 금속 산화물 반도체 전계효과 트랜지스터(MOSFET)의 게이트 절연막(주로 SiO2)이 고온, 고전압 환경에서 장기간 안정적으로 작동하는 능력과 관련된 핵심 과제입니다. SiC/SiO2 계면의 높은 결함 밀도와 산화막 내 전하 트랩은 문턱 전압 불안정성 및 절연 파괴 문제를 야기합니다. SiC 전력 소자의 상용화와 신뢰성 확보를 위해 지속적인 연구 개발이 요구됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.04