전공정(FAB)
SOI (Silicon On Insulator) 공정
일반적인 벌크 실리콘 웨이퍼 대신, 절연막(보통 산화막) 위에 얇은 실리콘 층을 형성하여 소자를 제작하는 반도체 공정 기술입니다. 이 절연막이 소자 간 전기적 분리를 강화하여 기생 효과(Parasitic Effect)를 줄이고, 특히 방사선 환경에서 전하 축적에 의한 오작동을 효과적으로 억제하는 장점이 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.05