SOI (Silicon On Insulator)

SOI 공정은 기존 벌크 실리콘 웨이퍼 대신 실리콘 층과 벌크 실리콘 사이에 절연층(일반적으로 산화규소)을 삽입한 웨이퍼를 사용하는 제조 기술을 의미합니다. 이 절연층은 소자 간의 전기적 간섭을 줄이고 누설 전류를 최소화하여 고성능 및 저전력 소자를 구현하는 데 필수적입니다. 특히 우주항공 분야처럼 방사선에 취약한 환경에서는 SEU 및 SEL과 같은 단일 이벤트 효과를 효과적으로 억제하여 소자의 신뢰성을 크게 향상시킵니다. 트랜지스터의 기생 정전 용량을 감소시켜 스위칭 속도를 높이고, 전력 소모를 줄이는 장점이 있습니다. 이 공정은 주로 RF(무선 주파수) 애플리케이션이나 방사선 내성 반도체 제조에 활용됩니다.