전공정(FAB)
Stochastic Effects (확률적 효과)
극자외선(EUV) 리소그래피에서 포톤 수가 감소하고 레지스트 분자들의 반응이 확률적으로 일어남에 따라 발생하는 패턴 결함 현상입니다. 이는 라인 에지 러프니스(LER), 라인 폭 러프니스(LWR), 국부적인 패턴 소실(line breaks) 또는 브릿지(bridges)와 같은 형태로 나타나며, 특히 초미세 패턴에서 수율 및 소자 성능 저하의 주된 원인이 됩니다. 포톤 샷 노이즈, 레지스트 소재 특성, 현상 공정 등 여러 요인이 복합적으로 작용하여 발생합니다.
최종 업데이트: 2026.04.04