공정 소재(Material)
Tantalum Nitride (TaN) (질화 탄탈륨)
탄탈륨(Ta)과 질소(N)의 화합물로, 반도체 공정에서 가장 널리 사용되는 확산 방지막 재료 중 하나입니다. TaN은 구리(Cu) 원자의 이동을 매우 효과적으로 차단하며, 우수한 기계적 강도와 열적 안정성을 가집니다. 주로 PVD 또는 ALD 방식을 통해 구리 배선과 유전체 사이에 증착되어 소자 신뢰성을 확보하는 데 필수적인 역할을 하며, 금속 게이트의 일함수 조절층으로도 응용됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.03