TSV (웨이퍼 관통 전극)

TSV는 Through Silicon Via의 약자로, 반도체 칩을 수직으로 적층하기 위해 실리콘 웨이퍼를 물리적으로 관통하여 전기적 경로를 형성하는 핵심 공정 기술입니다. 이 기술은 수 마이크로미터 직경의 미세한 구멍을 웨이퍼에 식각(etching)하고, 그 내부에 절연층을 형성한 후 구리 등의 금속으로 채워 전극을 만듭니다. TSV 공정은 미세 가공 기술, 절연막 증착, 금속 충전, CMP(Chemical Mechanical Polishing) 등 복잡하고 정밀한 여러 단계를 포함하며, 웨이퍼의 물리적 변형 및 응력을 최소화하는 것이 중요합니다. 이는 칩 간의 신호 전송 거리를 단축하고, I/O 밀도를 높여 궁극적으로 고성능 및 저전력 3D 적층 반도체를 구현하는 데 필수적인 기술입니다.