설계(Design)
Tunneling Field-Effect Transistor (TFET)
TFET는 전통적인 MOSFET의 문턱 전압(Vt) 스케일링 한계를 극복하기 위해 양자 터널링 효과(Quantum Tunneling Effect)를 활용하는 차세대 트랜지스터입니다. 전자의 터널링 확률을 이용하여 스위칭을 구현함으로써, 극도로 낮은 구동 전압(sub-60mV/decade)에서도 높은 온/오프 전류비(ON/OFF Ratio)를 달성할 수 있습니다. 이는 궁극적으로 에너지 효율을 극대화하여, AI 가속기 및 초저전력 IoT 기기의 핵심 논리 소자로 기능할 것으로 기대됩니다.
최종 업데이트: 2026.04.16