Vertical Transport FET (VFET) (수직형 트랜지스터)

채널을 수평 방향이 아닌 수직 방향으로 형성하여 전류가 웨이퍼 표면에 수직으로 흐르도록 설계된 트랜지스터 구조입니다. 이는 트랜지스터의 물리적 길이(채널 길이)를 줄이면서도 웨이퍼 면적당 더 많은 소자를 집적할 수 있게 하여, 초고밀도 집적을 가능하게 합니다. 특히 메모리 반도체(3D NAND)에서 이미 상용화된 수직 적층 기술을 로직 반도체에도 적용하려는 시도로, 게이트-올-어라운드(GAA) 구조와 결합되어 수직 나노와이어/나노시트 FET 형태로 연구되고 있습니다. 높은 온-오프 비율과 빠른 스위칭 속도 구현이 가능하여 차세대 고성능 로직 소자의 유력한 후보입니다.