설비/장비(Equip)
EUV High-NA Lithography (NA 0.55)
EUV High-NA Lithography는 기존 EUV 리소그래피의 개구율(NA)을 0.33에서 0.55로 높여, 더욱 미세한 패턴을 구현할 수 있게 하는 차세대 노광 기술입니다. 향상된 NA는 더 좁은 빔각으로 빛을 집속시켜 해상도를 높이며, 이를 통해 2나노미터 이하 공정에서 필수적인 초미세 회로 패턴을 정밀하게 형성할 수 있습니다. 이 기술은 ASML의 EXtra-large Field (ELF) 플랫폼과 같은 새로운 장비 혁신을 통해 실현되고 있습니다.
최종 업데이트: 2026.04.14