Next-Generation EUV: High-NA EUV (NA 0.55) & Beyond

차세대 EUV(극자외선) 리소그래피는 기존 EUV(NA 0.33)보다 훨씬 높은 개구율(Numerical Aperture, NA)을 갖는 High-NA EUV(NA 0.55) 기술로 발전하고 있습니다. 이는 더 미세한 패턴을 더 높은 해상도로 구현할 수 있게 하여, 2나노미터(nm) 이하의 첨단 반도체 노드 제조에 필수적입니다. High-NA EUV는 렌즈 시스템의 복잡성을 증가시키고 새로운 설계 및 공정 기술을 요구하지만, 궁극적으로 반도체 집적도를 획기적으로 높이고 성능을 개선하는 데 핵심적인 역할을 할 것입니다. 향후 NA 0.75 등 더 높은 NA를 목표로 하는 연구도 진행 중입니다.